전자-MRAM에 대하여

전자-MRAM에 대~M에 대하여.hwp 파일정보

전자-MRAM에 대하여.hwp
📂 자료구분 : 레포트 (공학기술)
📜 자료분량 : 14 Page
📦 파일크기 : 62 Kb
🔤 파일종류 : hwp

전자-MRAM에 대~-MRAM에 대하여 자료설명


자기저항의 개념과 거대자기저항, 다중기억 자기저항 메모리 등에 대해서 조사하였습니다.
[전자]MRAM에대하여

전자-MRAM에 대~-MRAM에 대하여 자료의 목차


자기저항이란?
거대자기저항
다층박막 GMR 재료
미세입상 합금박막 및 불연속다층박막 GMR 재료
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)
스핀밸브 자기저항 메모리 ( Spin Valve Magnetoresistive RAM )
유사 스핀밸브 자기저항 메모리( Pseudo Spin Valve Magnetoresistive RAM )
다중기억 자기저항 메모리
MRAM의 개발

본문내용 (전자-MRAM에 대~M에 대하여.hwp)


미세입상 합금박막 및 불연속다층박막 GMR 재료

미세입상 합금박막
상호고용이 되지 않는 계에서 석출된 nm크기의 단자구 자성입자의 자기모멘트가 무방향 배열된 초상자성(superparamagnet) 특성을 가진다 반강자성결합을 하는 자성/비자성 다층박막에서와 같이 주로 자성체 입자 계면에서 스핀 의존산란 효과에 기인하는 것으로 받아들여지고 있다
거대자기저항 현상을 나타내는 합금들은 Cu-Co, Ag-Co(Fe), Ag-Fe 및 Ag-FeNi 등이 연구되고 있다.
상온에서 Cu-Co계에서는 최적 열처리시 약 12%, Ag-Co계에서는 증착된 상태에서 23%의 최대 GMR 비가 보고된 바 있다
Ag-Co계가 Cu-Co보다 유리한 점은 증착된 상태의 같은 조성에서 비저항이 1/5정도로 낮고 열처리하지 않고 증착된 상태에서 더 큰 GMR비를 얻을 수 있고 열처리를 하더라도 Cu-Co계 보다 낮은 온도에서 최적 조건을 얻을 수 있다
미세입상 합금박막은 박막 제조 공정이 다층박막보다 용이하다는 이점


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